現在買東西真的是太方便了，而且每個商城都有很多優惠
因為物流的進步以及無遠弗屆網路商城，在這個特殊時期，不出門也是顧慮到自身安全
無論是生活上用的，還是比較高單價的3c產品，目前在網路上選購比較多，真的是非常方便啊
科技始終來自於惰性真的沒錯，這就是懶人經濟啊!!!!(好像哪裡怪怪的)
【LOCK & LOCK 樂扣樂扣】個性雙層耐熱玻璃水壺(300ml)是我在網路上閒逛時，猛然看到的產品，而且這產品其實我在很多評論網站觀察很久了
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所以我個人對【LOCK & LOCK 樂扣樂扣】個性雙層耐熱玻璃水壺(300ml)的評比如下
外觀質感：★★★★
使用爽度：★★★★☆
性能價格：★★★★☆
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完整產品說明
品牌名稱
款式
- 旋蓋
- 有杯蓋
- 有隔熱
- 有濾網或茶格
容量
- 201~400ml
材質
- 雙層玻璃
商品規格
- ■容量：300ml
■規格：66*204mm
■材質：
本體-硼矽玻璃：-20°C~100°C
上蓋-ABS：-20°C~70°C
矽膠條：-40°C~200°C
茶濾- 304不鏽鋼
■產地：中國
注意事項
1.請勿靠近火源, 勿使用於瓦斯爐或烤箱。
2.請用海綿或軟布清洗，勿用菜瓜布、鐵刷或具有腐蝕性的清潔劑清洗，以免損傷產品。
3.產品請勿放置於冰箱冷凍，以免損害產品。
4.請避免摔落或撞擊導致產品受損。
5.此商品為玻璃材質，使用前若發現有裂痕或裂縫請更換新的商品，勿再使用避免危險。
6.膠條請放置於正確的位置，避免滲漏。
7.清洗後，軟布將多餘的水份拭乾，將商品置放於通風處。
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熱點新知搶先報
如果說以矽為代表的第一代半導體是集成電路的基石，第二代半導體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話，那麼第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰略性新興產業的重要組成內容。 2018年-2019年，美國、歐盟等繼續加大第三代半導體領域的研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。國內受益於整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等因素，第三代半導體產業穩步發展。 本期智芯研報整理了近年來第三代半導體產業熱點事件（後附2018年SiC&GaN新產品），文後留言已開通，歡迎大家補充更多熱點事件！ ▼5G 帶來的功率半導體市場需求 ... 國聯萬眾 | 智芯諮詢 ▌汽車供應商MARELLI宣布與美國一家專注於重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作 2020年3月，汽車供應商MARELLI宣布與美國一家專注於重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過此協議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC轉換器和動力總成逆變器開發的尖端技術，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術的領導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，並擁有和汽車行業（尤其是日本）直接合作的成功經驗。獲得這一技術對正在探索電力傳動系統業務創新的MARELLI意義非凡。 ▌CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽（SiC）MOSFET智能功率模塊 2020年3月，CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽（SiC）MOSFET智能功率模塊。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化矽MOSFET模塊。 ▌半導體矽晶圓製造商 SK Siltron宣布，已完成對杜邦 (DuPont) 碳化矽晶圓 (SiC) 事業部的收購 2020年3月，半導體矽晶圓製造商 SK Siltron宣布，已完成對杜邦 (DuPont) 碳化矽晶圓 (SiC) 事業部的收購。收購是在 2019 年 9 月的董事會會議上決定的，並於 2020 年 2 月 29 日完成。2019 年 9 月，SK Siltron 簽署了一項協議，以 4.5 億美元的價格收購杜邦的碳化矽部門，以增強在先進材料領域的地位。 ▌臺積電宣布與國際功率半導體ＩＤＭ大廠意法半導體攜手合作開發氮化鎵製程技術。 2020年2月，臺積電宣布與國際功率半導體ＩＤＭ大廠意法半導體攜手合作開發氮化鎵(Gallium Nitride；簡稱GaN)製程技術。這項舉動也象徵著臺積電未來的發展，不在僅止於智慧型手機、ＡＩ、高速運算等領域，未來將藉由GaN技術加速布局車用電子與電動車應用。 ▌英飛凌科技（Infineon）持續擴展其全方位的碳化矽（SiC）產品組合 2020年2月，英飛凌科技（Infineon）持續擴展其全方位的碳化矽（SiC）產品組合，新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。 ▌思達科技宣布併購位在美國加州聖地牙哥的儀器設備廠商 2020年2月，知名半導體測試系統與探針卡供應商-思達科技宣布併購位在美國加州聖地牙哥的儀器設備廠商Accel-RFInstruments Corporation。美商Accel-RF在高功率及射頻可靠性測試業界擁有領先地位，其產品應用在像是氮化鎵（GaN，Gallium-Nitride）、碳化矽（SiC，Silicon-Carbide）這類化合物半導體的射頻（RF）、功率器件的高溫可靠性測試。此併購案完成後將大幅地強化思達科技在可靠性測試的測試技術、設備與服務。 ▌美國Teledyne e2v HiRel公司與加拿大氮化鎵系統公司合作推出加固型100V/90A氮化鎵功率電子遷移率電晶體（HEMT）產品 2020年2月，美國Teledyne e2v HiRel公司與加拿大氮化鎵系統（GaN Systems）公司合作推出加固型100V/90A氮化鎵（GaN）功率電子遷移率電晶體（HEMT）產品TDG100E90 GaN HEMT，經過嚴格的可靠性和電性能測試，滿足抗輻射和高可靠性應用要求，尤其是適用於軍事和宇航領域。 ▌小米10新品發布會發布GaN充電器 2020年2月，小米集團召開小米10新品直播發布會，不僅發布了小米10系列旗艦手機，還一同發布了兩款小米10系列的最佳搭檔產品：小米GaN充電器Type-C65W和小米無線充藍牙音箱。小米GaN充電器Type-C65W採用氮化鎵技術，最高支持65W疾速充電，搭配小米10Pro可實現50W快充，體積小巧便攜。 ▌GaNSystems公司宣布，西門子公司正將GaNSystems公司功率器件集成於其Simatic微型伺服驅動系統產品線的部分產品中 2020年1月，全球氮化鎵功率器件領導者GaNSystems公司宣布，西門子公司正將GaNSystems公司功率器件集成於其Simatic微型伺服驅動系統產品線的部分產品中。通過集成GaNSystems功率器件，該西門子產品線具有行業領先的性能，並因高功率密度，高效率和可靠性而使客戶受益。 ▌羅姆和意法半導體宣布，雙方就碳化矽晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH 供應事宜達成長期供貨協議 2020年1月，全球知名半導體製造商羅姆和意法半導體(以下簡稱「ST」)宣布，雙方就碳化矽(以下簡稱「SiC」)晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH (以下簡稱「SiCrystal」)供應事宜達成長期供貨協議。在SiC功率元器件快速發展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協議，由SiCrystal(SiC晶圓生產量歐洲第一)向ST(面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體製造商)供應先進的150mm SiC晶圓。 ▌意法半導體宣布，完成對瑞典碳化矽晶圓製造商NorstelAB的整體收購 2019年12月，橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體宣布，完成對瑞典碳化矽(SiC)晶圓製造商Norstel AB(「Norstel」)的整體收購。 ▌科銳與意法半導體宣布擴大並延伸現有多年長期碳化矽晶圓供應協議 2019年11 月，科銳（Cree, Inc.）與意法半導體（STMicroelectronics）宣布擴大並延伸現有多年長期碳化矽（SiC）晶圓供應協議至5億多美元。意法半導體是全球領先的半導體供應商，橫跨多重電子應用領域。這一延伸協議是原先協議價值的雙倍，科銳將在未來數年向意法半導體提供先進的150mm SiC裸晶圓和外延片。這一提升的晶圓供應，幫助意法半導體應對在全球範圍內快速增長的SiC功率器件需求，特別是在汽車應用和工業應用。 ▌Nexperia宣布其進入氮化鎵場效應管市場 2019年11 月 ，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業製造商Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度範圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 mΩ）以及快速的開關切換；效率非常高。 ▌《北京市5G產業發展白皮書(2019年)》發布，重點支持6英寸碳化矽、氮化鎵晶片工藝平臺項目 2019年11月，北京市經濟信息化局發布了《北京市5G產業發展白皮書(2019年)》（以下簡稱白皮書）。白皮書介紹，在核心技術上，北京主要圍繞5G功率放大器、基站基帶等核心晶片、通信協議棧軟體、電信網絡作業系統等產業薄弱環節進行突破；在產業鏈核心器件上，則重點支持6英寸碳化矽、氮化鎵晶片工藝平臺項目，初期預計達到月加工1000片6英寸5G中高頻晶片生產目標。 ▌Soitec宣布與應用材料公司啟動聯合研發項目 2019年11月，Soitec宣布與應用材料公司啟動聯合研發項目，共同開發新一代碳化矽襯底。該項目旨在通過提供 先進技術與產品，提高碳化矽的可用性及性能，以滿足電動汽車、通信及工業應用領域對碳化矽不斷上漲的需求。 ▌CISSOID宣布與湖南國芯半導體科技有限公司簽署了戰略合作協議 2019年11月，各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID宣布與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱「國芯科技」）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，並推動其在眾多領域實現廣泛應用。 ▌英飛凌科技公司已通過兩種新器件擴展了CoolGaN系列 2019年11月，英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)已通過兩種新器件擴展了CoolGaN系列。CoolGaN 400V器件（IGT40R070D1 E8220）專為高端HiFi音頻系統量身定製，在該系統中，最終用戶需要高解析度音軌的每個細節。傳統上，這些已由龐大的線性或電子管放大器解決。相反，音頻設計人員可以將CoolGaN 400V開關用作D類輸出級。 ▌安世半導體發布其首款氮化鎵AEC-Q101認證的650V、50mΩ功率器件 2019年11月，分立、邏輯和MOSFET器件的專業製造商安世半導體發布其首款氮化鎵AEC-Q101認證的650V、50mΩ功率器件：GAN063-650WSA，從而進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。 ▌Navitas Semiconductor宣布與Baseus合作推出採用GaNFast（氮化鎵）功率IC技術的65W「2C1A」三口移動充電器 2019年10月，Navitas Semiconductor宣布與Baseus合作推出採用GaNFast（氮化鎵）功率IC技術的65W「2C1A」三口移動充電器，該充電器集全球最小、最輕、便攜性於一體。GaNFast 2C1A充電器在僅有3.2 x 3.6 x 7.5厘米（86 cc）的外殼尺寸和120g的重量下提供三個快速充電輸出，其尺寸和重量僅為基於矽設計的充電器的一半，創造了終極的多合一設計。為保證用戶的筆記本電腦，平板電腦和智慧型手機實現最佳的同步充電，2C1A可提供65W的總輸出功率，並保證通過USB-C埠1提供45W的功率，通過USB-C埠2和USB-A同時輸出共享20W的功率。 ▌科銳宣布計劃在美國東海岸創建碳化矽走廊 2019年9月，作為碳化矽（SiC）技術全球領先企業的科銳（Cree, Inc.，美國納斯達克上市代碼：CREE），宣布計劃在美國東海岸創建碳化矽（SiC）走廊，建造全球最大的碳化矽（SiC）製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm功率和射頻（RF）晶圓製造工廠，而與之相輔相成的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴產正在公司達勒姆總部開展進行。 ▌德爾福科技成為業內首家實現800 V碳化矽逆變器量產的公司 2019年9月， 德爾福科技成為業內首家實現800 V碳化矽(SiC)逆變器量產的公司，該產品是下一代高效電動和混合動力汽車的核心部件之一。新的逆變器可以賦能電壓高達800伏的電氣系統,相比如今最先進的400伏系統,它可以大幅延長電動汽車(EV)的行駛里程並將充電時間縮短一半。 ▌德爾福科技與科銳公司宣布將展開合作 2019年9月，汽車推進技術全球供應商德爾福科技（紐交所代碼：DLPH）與碳化矽半導體領域的領導者科銳公司（納斯達克代碼：CREE）宣布將展開合作，通過碳化矽半導體設備技術來為未來的電動車輛（EV）打造更迅捷、更緊湊、更輕便、功能更強大的電子系統。 ▌保時捷(Porsche)發表首款純電動跑車Taycan Turbo 2019年9月，保時捷(Porsche)發表首款純電動跑車Taycan Turbo，其800V逆變器就是採用CREE旗下Wolfspeed生產的SiC MOSFET半導體，以改善能耗及快速充電。 ▌Power Integrations發布基於氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC 2019年8月，深耕於高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations發布了其InnoSwitch™3系列恆壓/恆流離線反激式開關電源IC的新成員--基於氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC，可滿載情況下實現95%的高效率，並且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。 ▌Cree 宣布將投資10億美元擴大碳化矽產能 2019年5月，Cree 剝離除碳化矽和氮化鎵以外的業務，宣布將投資10億美元擴大碳化矽產能。 ▌日本昭和電工展望：將第三次擴大碳化矽產能作為碳化矽功率半導體的外延晶片 2019年3月，日本昭和電工在其2018年財報中展望，將第三次擴大碳化矽產能作為碳化矽功率半導體的外延晶片。 ▌Navitas 納微半導體推出 30W、65WGaN 充電器，支持 USB PD 快充 2019年1月，Navitas 納微半導體推出 30W、65WGaN 充電器，支持 USB PD 快充。這兩款充電器均主打輕薄、迷你、高效特點，較同功率產品有明顯的體積優勢。同時，兩款充電器都配備USB-C接口，可以給支持USB PD的手機、平板電腦、筆記本電腦實現快充。 ▌英飛凌報價1.39億美元收購Siltectra 2018年11月，英飛凌報價1.39億美元收購Siltectra，掌握了碳化矽晶圓最新切割技術。 ▌安森美以24 億美元收購Fairchild 公司 2018年4月，安森美以24 億美元收購Fairchild 公司高壓碳化矽技術。 ▌Infineon 與Cree 宣布簽訂了戰略性長期供貨協議 2018年2月，Infineon 與Cree 宣布簽訂了戰略性長期供貨協議，負責向後者提供SiC 晶圓；11 月收購Siltectra獲得Cold Split 技術，相比傳統研磨90％的材料浪費，該技術將耗材成本降低50％，並將整體切片成本降低30％。 ▌2018年SiC&GaN 新產品 目前商業化SiCMOSFET的最高工作電壓為1700V，工作溫度為100-160℃，電流在65A以下。SiC MOSFET 現在主要的產品有650V、900V、1200V 和1700V。在2018 年國際主要廠商推出的SiC 新產品中，Cree 推出的新型E 系列SiC MOSFET 是目前業內唯一通過汽車AEC-Q101 認證，符合PPAP 要求的SiC MOSFET。 ▼2018 年SiC 新產品 ...... 目前商業化GaN HEMT的最高工作電壓為650V，工作溫度為25℃，電流在120A以下。GaN HEMT 現在主要的產品有100V、600V 和650V。在2018 年國際主要廠商推出的GaN新產品中，GaN Systems 的GaN E-HEMT 系列產品實現了業內最高的電流等級，同時將系統的功率密度從20kW 提高到了500kW。而EPC 生產的GaN HEMT 是其首款獲得汽車AEC-Q101認證的GaN 產品。其體積遠小於傳統的Si MOSFET，且開關速度是Si MOSFET的10-100 倍。 ▼2018 年GaN 新產品 ...... 目前商業化SiC 功率模塊的最高工作電壓為3300V。2018 年1 月，三菱電機開發的全SiC功率模塊通過SiC MOSFET 和SIC SBD 一體化設計，實現了業內最高的功率密度（9.3kVA/cm3）。 ▼2018 年SiC 功率模塊新產品 ... 目前商業化GaN功率放大器的最高工作頻率為31GHz。在2018年MACOM、Cree 等企業陸續推出GaN MMIC PA 模塊化功率產品，面向基站、雷達等應用市場。 ▼2018 年GaN 功率模塊新產品 ...... 本文由第三代半導體聯合創新孵化中心整理，轉載請註明出處！謝謝！ 歡迎大家留言補充更多熱點事件！ ... 更多精彩內容，敬請關註：微信公眾號 casazlkj
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